д.с.,отличающейся тем,что с целью
повышения надежности распознавания измеряют термо э.д.с. кон-
такта двух исследуемых образцов
Между металлом , сжатым всесторонем давлением, и темже
металлом, находящемся при нрмальном давлении тоже возникает
термо э.д.с.
Например , для железа при температуре 100 градусов С и
давлении 12 кбар,термоэдс равна 12,8 мкВ .При насыщении метал-
ла или сплава в магнитном поле относитель тогоже вещества без
магнитного поля возникает термоэдс порядка 09мкВ/градус
9.2.2 Эффект П е л ь т ь е обратен эффекту Зеебека.
При прохожд тока через спай различных металлов кроме джо-
удева тепла доплнительно выделяется или поглощается, в зависи-
мости от направления тока,некоторое колличество тепловых (спай
сурьма-висьмут при 20градусах С -10,7мкал/Кулон).При этом кол-
личество теплоты пропорционально первой степени тока.
Патент США N 3757151: Для увеличения отношение сигнал шум
ФЭУ предлогается способ охлаждения фотокатодов термоэлектри-
ческими элементами,расположенными внутри вакуумной оболочки
ФЭУ.
Заявка ФРГ N 1297902: Холодильник устройства для отбора
газа, в котором отвод конденсата составляет одно целое с холо-
дильником. На внутренней стороне полого конуса закреплены хо-
лодные спаи элементов Пельтье и от него ответвляется трубопро-
вод для отбора измерительнонго газа. Холодильник,отличается
тем,что в качестве генератора тока,потребляемыми элементами
Пельтье,предусмотрена батарея термоэлементов,горячие спаи ко-
торых находятся в канале дымовых газов,а холодные спаи - во
внешнем пространстве.
9.2.3. Явлением Томсона называют выделение или поглощение
теплоты,избыточнойнад джоулевой,при прохождении тока по нерав-
номерно нагретому однородному проводнику или полупроводнику.
9.3. При контакте тел с вакуумом или газами наблюдается
электронная эмиссия - выпускание электронов телами под влияни-
ем внешних воздействий: нагревания (теплоэлектронная эмиссия)
потока фотонов (фотоэмиссия),потока электронов (вторичная
эмиссия),потока ионов,сильного электрического поля (автоэлект-
ронная или холодная эмиссия),механических или других "портящих
структуру" воздействий (акзоэлектронная эмиссия)
Во всех видах эмиссий , кроме автоэлектронной, роль внеш-
них воздействий сводится к увеличению энергетии части электро-
нов или отдельных электронов тела до значения,позволяющего им
преодолеть потенциальный порог на границе тела с последующим
выходом и вакуум или другую среду.
А.С.N 226040:Способ контроля глубины нарушенного поверх-
ностного слоя полупроводниковых пластин, отличающихся тем,что
с целью обеспечения возможности автоматизации и упрощения по-
цесса контроля,пластину нагревают до температуры ,соответству-
ющей максимуму э к з о э л е к т р о н н о й э м и с с и ,
которую контролируют одним из известных способов , а по поло-
жению пика эмиссии определяют глубину нарушенного слоя.
А.С.N 513460: Э л е к т р о н н а я т у р б и н а,
содержащая помещенные в вкуумный баллон катод и анод и
размещенный между ними ротор с лопастями, отличающийся тем,
что с целью увеличения крутящегося моментана валу турбины ее
ротор вполнен ввиде набора соосных цилиндров с лпастями, между
цилиндрами роторов установлены неподвижные направляющие лопат-
ки имеют покрытие, обеспечивающее вторичную электронную эмис-
сию, например, сурьмяно-цезиевое.
9.3.1. В случае автоэлектронной эмиссии внешнее электри-
ческое поле превращают потенциалный порог на границе тела в
барьер конечной ширины и уменьшает его высоту относительно вы-
соты первоначального порога,вследствии чего становиться воз-
можным квантовомеханическое тунелирование электронов сквозь
барьер. При этом эмиссия происходит без затраты энергии элект-
рическим полем.
А.С. N 488268: Способ измерения обьемной концентрации уг-
леводородов в вакуумных системах путем термического разложения
углеводородов на нагретом острийном автокатоде и регистрации
времени накопления пиролетического углерода до одной из эта-
лонных концентраций,отличающихся тем,что с целью повышения
точности измерения время накопления углерода регистрируют по
изменению значения автоэлектронного тока.
9.3.2. Наличие на поверхности металла тонких диэлектри-
ческих пленок в сильныь полях не мешает походу электронов че-
рез потенциальный барьер.Это явление называется э фф е к т о м
М о л ь т е р а .
А.С. N.119712: Электронно-лучевая запоминающая трубка с
экранными сетками, отличающаяся тем,что с целью хранения запи-
си неограничено долгое время одна из экранных сеток,служащая
потенциалоносителем, изготовлена из металлов , излучающих вто-
рично-электронную эмиссию,покрытых пленкой диаэлектрика и об-
ладающих эффектом.
9.3.3. Туннелирование электронов по потенциальным барь-
ерам широко используется в специальных полупроводниковых
приборах туннельных диодах. На высоту тунельного барьера можно
влиять не только электрическим полем, но и другими воздействи-
ями
Патент Франции N 2189746: Устройство пзволяющее обнаружи-
вать магнитные домены с внутренним диаметром не более 1 мк,
основано на определении изменения уровня Ферми иследуемого
электрода по изменению высоты туннельного барьера и по его
воздействию на величину сопротивления,туннельного пере. Уст-
ройство применимо в магнитных долговременных и оперативных за-
поминающих устройствах.
А.С.N 286274: Устройство для измерения контактного давле-
ния ленты на магнитную головку,содержащее упругие элементы и
датчики, отличающиеся тем,что с целью осуществления одновре-
менно интегрального и дискретного измерения указанного давле-
ния , устройство измерения выполнено в виде полуцилиндра, сос-
тоящего из упругих элементов, образующих на корпусе магнитной
головки, при этом другой край полуцилиндра выполнен свободным
, а под каждой полосой гребенки установлен датчик,например, с
туннельным эффектом.
Г.Е.Зильберман. Электричество и магнетизм.М.,"НАУКА",1970
К.9.1 "Юный техник",N.3 стр.17,1976, А.С.484896,461343
К 9.2. А.С.464183 патент ФРГ 1295100
К 9.3. Таблица физических величин. М.,"Атомиздат",
1976,стр.444
10. ГАЛЬВАНО И ТЕРМОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ.
10.1. Гальваномагнитные явления - это совокупность явле-
ний, возникающих под действием магнитного поля в проводимых
проводимых, по которым протекает электрический ток. При этом:
10.1.1. В направлении перпендикулярном направлениям маг-
нитного поля и направлению тока, возникает электрическое поле
(эффект Эолла).
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72
повышения надежности распознавания измеряют термо э.д.с. кон-
такта двух исследуемых образцов
Между металлом , сжатым всесторонем давлением, и темже
металлом, находящемся при нрмальном давлении тоже возникает
термо э.д.с.
Например , для железа при температуре 100 градусов С и
давлении 12 кбар,термоэдс равна 12,8 мкВ .При насыщении метал-
ла или сплава в магнитном поле относитель тогоже вещества без
магнитного поля возникает термоэдс порядка 09мкВ/градус
9.2.2 Эффект П е л ь т ь е обратен эффекту Зеебека.
При прохожд тока через спай различных металлов кроме джо-
удева тепла доплнительно выделяется или поглощается, в зависи-
мости от направления тока,некоторое колличество тепловых (спай
сурьма-висьмут при 20градусах С -10,7мкал/Кулон).При этом кол-
личество теплоты пропорционально первой степени тока.
Патент США N 3757151: Для увеличения отношение сигнал шум
ФЭУ предлогается способ охлаждения фотокатодов термоэлектри-
ческими элементами,расположенными внутри вакуумной оболочки
ФЭУ.
Заявка ФРГ N 1297902: Холодильник устройства для отбора
газа, в котором отвод конденсата составляет одно целое с холо-
дильником. На внутренней стороне полого конуса закреплены хо-
лодные спаи элементов Пельтье и от него ответвляется трубопро-
вод для отбора измерительнонго газа. Холодильник,отличается
тем,что в качестве генератора тока,потребляемыми элементами
Пельтье,предусмотрена батарея термоэлементов,горячие спаи ко-
торых находятся в канале дымовых газов,а холодные спаи - во
внешнем пространстве.
9.2.3. Явлением Томсона называют выделение или поглощение
теплоты,избыточнойнад джоулевой,при прохождении тока по нерав-
номерно нагретому однородному проводнику или полупроводнику.
9.3. При контакте тел с вакуумом или газами наблюдается
электронная эмиссия - выпускание электронов телами под влияни-
ем внешних воздействий: нагревания (теплоэлектронная эмиссия)
потока фотонов (фотоэмиссия),потока электронов (вторичная
эмиссия),потока ионов,сильного электрического поля (автоэлект-
ронная или холодная эмиссия),механических или других "портящих
структуру" воздействий (акзоэлектронная эмиссия)
Во всех видах эмиссий , кроме автоэлектронной, роль внеш-
них воздействий сводится к увеличению энергетии части электро-
нов или отдельных электронов тела до значения,позволяющего им
преодолеть потенциальный порог на границе тела с последующим
выходом и вакуум или другую среду.
А.С.N 226040:Способ контроля глубины нарушенного поверх-
ностного слоя полупроводниковых пластин, отличающихся тем,что
с целью обеспечения возможности автоматизации и упрощения по-
цесса контроля,пластину нагревают до температуры ,соответству-
ющей максимуму э к з о э л е к т р о н н о й э м и с с и ,
которую контролируют одним из известных способов , а по поло-
жению пика эмиссии определяют глубину нарушенного слоя.
А.С.N 513460: Э л е к т р о н н а я т у р б и н а,
содержащая помещенные в вкуумный баллон катод и анод и
размещенный между ними ротор с лопастями, отличающийся тем,
что с целью увеличения крутящегося моментана валу турбины ее
ротор вполнен ввиде набора соосных цилиндров с лпастями, между
цилиндрами роторов установлены неподвижные направляющие лопат-
ки имеют покрытие, обеспечивающее вторичную электронную эмис-
сию, например, сурьмяно-цезиевое.
9.3.1. В случае автоэлектронной эмиссии внешнее электри-
ческое поле превращают потенциалный порог на границе тела в
барьер конечной ширины и уменьшает его высоту относительно вы-
соты первоначального порога,вследствии чего становиться воз-
можным квантовомеханическое тунелирование электронов сквозь
барьер. При этом эмиссия происходит без затраты энергии элект-
рическим полем.
А.С. N 488268: Способ измерения обьемной концентрации уг-
леводородов в вакуумных системах путем термического разложения
углеводородов на нагретом острийном автокатоде и регистрации
времени накопления пиролетического углерода до одной из эта-
лонных концентраций,отличающихся тем,что с целью повышения
точности измерения время накопления углерода регистрируют по
изменению значения автоэлектронного тока.
9.3.2. Наличие на поверхности металла тонких диэлектри-
ческих пленок в сильныь полях не мешает походу электронов че-
рез потенциальный барьер.Это явление называется э фф е к т о м
М о л ь т е р а .
А.С. N.119712: Электронно-лучевая запоминающая трубка с
экранными сетками, отличающаяся тем,что с целью хранения запи-
си неограничено долгое время одна из экранных сеток,служащая
потенциалоносителем, изготовлена из металлов , излучающих вто-
рично-электронную эмиссию,покрытых пленкой диаэлектрика и об-
ладающих эффектом.
9.3.3. Туннелирование электронов по потенциальным барь-
ерам широко используется в специальных полупроводниковых
приборах туннельных диодах. На высоту тунельного барьера можно
влиять не только электрическим полем, но и другими воздействи-
ями
Патент Франции N 2189746: Устройство пзволяющее обнаружи-
вать магнитные домены с внутренним диаметром не более 1 мк,
основано на определении изменения уровня Ферми иследуемого
электрода по изменению высоты туннельного барьера и по его
воздействию на величину сопротивления,туннельного пере. Уст-
ройство применимо в магнитных долговременных и оперативных за-
поминающих устройствах.
А.С.N 286274: Устройство для измерения контактного давле-
ния ленты на магнитную головку,содержащее упругие элементы и
датчики, отличающиеся тем,что с целью осуществления одновре-
менно интегрального и дискретного измерения указанного давле-
ния , устройство измерения выполнено в виде полуцилиндра, сос-
тоящего из упругих элементов, образующих на корпусе магнитной
головки, при этом другой край полуцилиндра выполнен свободным
, а под каждой полосой гребенки установлен датчик,например, с
туннельным эффектом.
Г.Е.Зильберман. Электричество и магнетизм.М.,"НАУКА",1970
К.9.1 "Юный техник",N.3 стр.17,1976, А.С.484896,461343
К 9.2. А.С.464183 патент ФРГ 1295100
К 9.3. Таблица физических величин. М.,"Атомиздат",
1976,стр.444
10. ГАЛЬВАНО И ТЕРМОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ.
10.1. Гальваномагнитные явления - это совокупность явле-
ний, возникающих под действием магнитного поля в проводимых
проводимых, по которым протекает электрический ток. При этом:
10.1.1. В направлении перпендикулярном направлениям маг-
нитного поля и направлению тока, возникает электрическое поле
(эффект Эолла).
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72